檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "王國雄".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="比下壓能"
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本文利用比下壓能觀念，建立兩種最佳化之逐步逼近到預定之奈米流道梯形凹槽深度之目標收斂函數的最少切削道次之估算方法。第一種為三切削道次偏移循環加工方法，每一切削道次皆為固定下壓力進行加工，進而估算出達…
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本文應用計算化學反應層厚度理論方法及實驗，探討受研磨液影響之不同浸泡條件的單晶矽晶圓基板化學反應層厚度及在固定下壓力下不同浸泡條件的切削深度。本研究先運用原子力顯微鏡之實驗，得出未受研磨液浸泡的單晶…
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本文先建立用偏移循環加工法及推導出加工奈米流道梯型凹槽到預定深度與寬度所需的預估偏移加工的加工道次及底部凸起的公式，並建立加工梯型凹槽到預定深度及寬度的方法。由於切削的深度會直接影響切削寬度…
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摘要 本研究先以下壓力對未浸泡研磨液的單晶矽基板進行原子力顯微鏡(AFM)加工，得出單晶矽基板未浸泡研磨液的比下壓能值。然後再利用較小的下壓力對浸泡室溫研磨液之單晶矽進行AFM加工實驗，以比下壓能理…
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本文旨在建立一預測多道次奈米切削加工深度之理論模式，藉以探討在奈米級藍寶石V型溝槽切削下，欲達到所需切削深度的下壓力與加工道次之關係。同時並應用分子靜力學奈米級切削溫度模擬模式，計算被加工工件所產生…